Trong khi SK hynix gần đây giới thiệu tiêu chuẩn HBF (High Bandwidth Flash) cùng SanDisk, Samsung cũng sẽ trình bày lộ trình phát triển bộ nhớ và lưu trữ 3D tại FMS 2026, với các công nghệ nổi bật như "zHBM" và "Z-NAND", nhằm giải quyết các điểm nghẽn trong hệ thống AI, theo Money Today.
Theo báo cáo, tại FMS (Future of Memory and Storage) 2026, hội nghị lớn nhất thế giới về bộ nhớ và lưu trữ diễn ra từ ngày 4–6/8, "zHBM" của Samsung được kỳ vọng sẽ trở thành tâm điểm, tiếp nối công nghệ z-NAND được giới thiệu vào năm ngoái.
Trong thông cáo báo chí mới nhất, Samsung cho biết hệ thống giao tiếp thế hệ mới tích hợp zHBM dự kiến sẽ mang lại hiệu năng cao gấp khoảng 8 lần HBM5. Nhờ công nghệ liên kết wafer thế hệ mới (next-generation wafer bonding), zHBM có thể đạt mật độ bộ nhớ cao hơn hơn 10 lần so với HBM5, đồng thời tăng hiệu quả năng lượng gấp 3 lần và giảm hơn một nửa điện trở nhiệt.
Khái niệm zHBM lần đầu được Samsung giới thiệu vào tháng 2 tại SEMICON Korea. Theo một báo cáo trước đó của ZDNet, zHBM là kiến trúc bộ nhớ tương lai được thiết kế để kế nhiệm HBM4, với băng thông cao hơn hơn 4 lần và mức tiêu thụ điện năng thấp hơn 75% so với các giải pháp HBM thế hệ tiếp theo.
Trích dẫn ông Song Jae-hyuk, CTO của Samsung Electronics, ZDNet cho biết thay vì sử dụng thiết kế phẳng truyền thống, zHBM hướng tới kiến trúc xếp chồng hoàn toàn theo không gian 3D bằng công nghệ liên kết nhiều wafer với nhau (multi-wafer-to-wafer bonding), hỗ trợ hàng chục nghìn kết nối I/O (đầu vào/đầu ra). Money Today cho biết thêm, zHBM sẽ xếp chồng HBM trực tiếp lên trên GPU theo chiều dọc, thay thế bố cục đặt cạnh nhau truyền thống để rút ngắn khoảng cách truyền dữ liệu, đồng thời cải thiện đáng kể băng thông và hiệu quả sử dụng năng lượng.
Z-NAND trở lại phục vụ khối lượng công việc AI
Ở mảng NAND, Z-NAND đang nổi lên như một sản phẩm chiến lược thế hệ tiếp theo của Samsung, theo Money Today.
Trước đây, dữ liệu lưu trên SSD phải đi qua CPU và DRAM trước khi GPU có thể truy cập, tạo ra độ trễ trong quá trình xử lý. Z-NAND được phát triển nhằm khắc phục hạn chế này bằng cách giảm tối đa độ trễ và cải thiện hiệu năng I/O (đầu vào/đầu ra).
Theo một báo cáo trước đó của Tom's Hardware, Samsung đã khởi động lại chiến lược phát triển Z-NAND trong năm 2025. Phó Chủ tịch điều hành mảng Bộ nhớ của hãng cho biết mục tiêu là nâng hiệu năng lên tới 15 lần, đồng thời giảm mức tiêu thụ điện năng tới 80% so với bộ nhớ flash NAND truyền thống.
Tuy nhiên, việc thương mại hóa vẫn còn nhiều thách thức. Theo Global Economic, Z-NAND từng thu hút sự chú ý nhờ độ trễ cực thấp và độ bền ghi/xóa cao (DWPD). Tuy nhiên, việc sử dụng kiến trúc SLC cũng tạo ra những hạn chế về mặt cấu trúc, bao gồm chi phí trên mỗi GB cao hơn và mật độ lưu trữ thấp hơn, khiến công nghệ này chưa thể được triển khai rộng rãi.
Theo TrendForce, Z-NAND có thể mang lại độ trễ cực thấp với tốc độ đọc tiệm cận DRAM. Tuy nhiên, khả năng thương mại hóa sẽ phụ thuộc vào việc giải quyết rào cản lớn nhất hiện nay là chi phí sản xuất, hiện được ước tính cao gấp 3–4 lần so với NAND TLC truyền thống.
